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半導(dǎo)體封裝材料測(cè)試系統(tǒng)

電場(chǎng)介電損耗，漏電流測(cè)試系統(tǒng) TSDC測(cè)試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng) 真空探針臺(tái)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)華測(cè)儀器通過(guò)多年研究開(kāi)發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控，高屏蔽干擾信號(hào)的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式，在高速加熱及高速冷卻時(shí)，具有均勻的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，加熱箱體整體密封，無(wú)氣氛污染。
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HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹(shù)脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹(shù)脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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電氣絕緣材料高電場(chǎng)介電、損耗測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-04-10

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電氣絕緣材料高電場(chǎng)介電、損耗測(cè)試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號(hào)的輸出與測(cè)量，系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令，單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測(cè)量波形，F(xiàn)PGA一路信號(hào)控制不同頻率幅值的信號(hào)由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號(hào)，不同頻率幅值的高壓信號(hào)加載樣樣品上，樣品測(cè)量的信號(hào)測(cè)量后，再回傳FPGA測(cè)試板卡。測(cè)量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
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MLCC高壓電容器高電場(chǎng)介電損耗電滯回線系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-04-10

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高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng)

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SIR-450半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：SIR-450

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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